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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 150V、连续漏极电流(Id) : 100A、导通电阻(RDS(on)) : 7.2mΩ@10V,100A

库存: 500

特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流

库存: 500

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, 9.9 A, TO-220, 表面安装, IPA65R650CEXKSA1, IPA系列

库存: 500

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