数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 60V、连续漏极电流(Id) : 26A、导通电阻(RDS(on)) : 40mΩ@10V

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 20.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.19Ω@10V,13.1A