数量 : 1个N沟道+1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 6.1A、连续漏极电流(Id) : 6.7A

漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.8A、导通电阻(RDS(on)) : 0.1Ω@4.5V,3.8A、耗散功率(Pd) : 2W

该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。

使用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，使传导和开关功率损耗降至最低，适用于高频开关和同步整流。

场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常级别-MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试