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数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.065Ω@4.5V

库存: 3000

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET TO-220

库存: 1000

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET TO-220

库存: 1000

此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步,可提供最低的 rDS(on),同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。

库存: 3000

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用:负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

库存: 3000

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