场效应管(MOSFET) 520W 200V 130A 1个N沟道

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 46A、导通电阻(RDS(on)) : 0.045Ω@10V

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 30V、连续漏极电流(Id) : 12A、导通电阻(RDS(on)) : 38mΩ@5V,10A

品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT管/模块 编号 : C2924646 IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 75A 耗散功率(Pd) : 390W

品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 60A 耗散功率(Pd) : 483W

IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 650V 集电极电流(Ic) : 40A 耗散功率(Pd) : 250W 描述:光伏逆变 储能 UPS 电源

FET 类型  N沟道 漏极-源极电压  650V 漏极电流  40A 栅极-源极阈值电压  3.2V~4.5V 漏极-源极导通电阻  90mΩ@10V 输入电容  3445pF 栅极电荷  84nC

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 200V、连续漏极电流(Id) : 50A、导通电阻(RDS(on)) : 0.04Ω@10V