N沟道,250V,14A,0.28Ω@N沟道,250V,14A,0.28Ω…10V

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 60V、连续漏极电流(Id) : 26A、导通电阻(RDS(on)) : 40mΩ@10V

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 30V、连续漏极电流(Id) : 12A、导通电阻(RDS(on)) : 38mΩ@5V,10A

采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准