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BOM
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 20.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.19Ω@10V,13.1A
库存: 50000
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 100V、连续漏极电流(Id) : 290A、导通电阻(RDS(on)) : 2.6mΩ@10V
- 400: 5.8
库存: 3000
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
库存: 5000
特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
库存: 3000
