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单 FET、MOSFET
库存: 3000
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 800V、连续漏极电流(Id) : 12A、耗散功率(Pd) : 35W
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 20A、导通电阻(RDS(on)) : 0.29Ω@10V
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.95Ω@10V
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 45A、导通电阻(RDS(on)) : 0.11Ω@10V
N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
库存: 600
N沟道,100V,110A,0.0042Ω@10V
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道
库存: 10000
场效应管(MOSFET) 30W 600V 1A 1个N沟道
库存: 30000
1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 2A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8Ω@10V
场效应管(MOSFET) 40W 900V 8A 1个N沟道
